Epitaxia por haces moleculares.

Ana Ruiz y Ruiz de Gopegui

Resumen


La epitaxia por haces moleculares, MBE, es una técnica física de síntesis en la que una lámina de un sólido crece, en una cámara de ultra-alto vacío, por la reacción de haces atómicos o moleculares de sus componentes elementales en fase vapor, al incidir éstos sobre un substrato monocristalino que se mantiene a temperatura adecuada. Mediante esta técnica se obtienen láminas de alta pureza y excelente calidad cristalina, en las que la composición y alternancia de capas se puede controlar hasta el límite de una capa atómica. En sus comienzos se dedicó sólo a la fabricación de heteroestructuras semiconductoras III-V, aunque trascendió rápidamente a otros sistemas materiales. Es una técnica ideal para realizar heteroestructuras consideradas como sistemas modelo en física de estado sólido (pozos cuánticos, superredes, hilos y puntos cuánticos…), y para la fabricación de dispositivos de nuevo diseño con propiedades avanzadas. Además, en la actual convergencia de disciplinas hacia la omnipresente nanotecnología, el profundo conocimiento adquirido sobre los fenómenos fundamentales involucrados en el crecimiento MBE de muy diversos sistemas materiales, permite utilizar la técnica más allá de su capacidad intrínseca de control del proceso en la dirección de crecimiento, y aplicarla a la obtención de nanoestructuras y redes ordenadas de motivos en la nanoescala

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