Ilustración de la cubierta: No es posible implantar galio en nanopartículas de disulfuro detungsteno (WS2) al irradiar el material con un haz de iones Ga+. Pero al aplicar un tratamientoprevio de hidrogenación al material, sometiéndolo a un plasma de hidrógeno, este se intercalaentre las láminas de WS2 y facilita la implantación de galio.Créditos: José Ignacio Martínez (Instituto de Ciencia de Materiales de Ma­ drid, CSIC) y Julio A.Alonso (Universidad de Valladolid).